Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
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작성일 22-09-28 14:57
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하지만 전원 공급이 끊겨도 강유전체가 가지고 있는 자발분극 속성 때문에 저장된 정보가 지워지지 않는 우수한 정보보존의 속성 을 지니고 있다아 따라서 특별히 빠른 정보 입출력을 요하지 않는 연산기나 프로그램(program]) 을 저장하는 메모리 등 정보의 쓰기는 빈번하지 않으나 저장된 정보의 유지가 중요한 기억장치에 아주 유용하다. 기존의 반도체 기억소자의 고집적화 및 대용량화에는 한계가 있기 때문에 고유전율 및 불휘발성을 가지는 강유전체 연…(skip)
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FlashMemory와FRAM
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Flash Memory 와 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
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가. Flash Memory
1. Flash Memory 의 introduction
2. Flash Memory 의 구조
3. Flash Memory 의 시장現況(현황)
4. Flash Memory 의 응용처
나. FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)
1. Ferroelectrics 이란?
2. FRAM의 introduction
3. FRAM의 종류
4. FRAM의 advantage(장점)
2. FRAM 이란?
FRAM(Ferroelectric random access memory: 강유전체 메모리)는 읽기 쓰기가 모두 가능한 비 휘발성메모리로 휘발성 메모리인 RAM(random access memory)과 ROM(read only memory)의 두 가지 속성 을 다 가지고 있다아 현재까지는 FRAM의 공정 개발 수준이 DRAM에 미치지 못하기 때문에 동작속도는 떨어진다. 그리고 EEPROM에 비해서는 저전력으로 구동 시킬 수 있으며 정보의 입출력 횟수를 월등히 크게 할 수 있기 때문에 불휘발성 소자를 FRAM으로 대체할 수 있는 가능성도 충분하다.
강유전체 물질이 발견된 후로 기억소자 및 전기적 소자개발에 대한 연구가 계속되어 왔는데 최근 10여년 동안 반도체 기술의 획기적 발전과 특히 박막 성장 기술의 발전으로 강유전체 박막 연구는 전세계적으로 널리 진행되고 있다아 최근 들어 특히 日本 과 미국 기업은 물론이고 국내 기업에서도 강유전체를 이용한 불휘발성 기억소자(Ferroelectric random access memory:FRAM)를 개발하고자 많은 노력을 기울이고 있다아 이미 국내외 기업에서 FRAM소자를 양산할 계획에 있거나 이미 양산하고 있다아 따라서 향후 불휘발성 기억소자, 휴대장치, 및 정보 통신 기기에서 중추적 역할을 담당할 FRAM 소자 개발을 위한 재료 분야 및 소자 구조 분야에서 선점적 연구를 수행하는 것은 국내 반도체 산업의 기술력을 확보하고 선진국과 경쟁력을 갖기 위해서 매우 시급하며 중요한 일이다.
