`MLC` 플래시메모리업계 뜨거운 감자 부상
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작성일 23-02-07 09:39
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`MLC` 플래시메모리업계 뜨거운 감자 부상
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`MLC` 플래시메모리업계 뜨거운 감자 부상
`MLC` 플래시메모리업계 뜨거운 감자 부상
×3·×4 MLC 기술은 기술적 어려움이 예상되는 초미세공정화를 보완하는 데에는 매우 유용하지만 변수가 산적해 있고 시장에서의 수용 여부도 불투명해 조기 상용화에 부담이 따르기 때문이다. 2004년까지는 한 개 셀에 1비트를 저장하는 싱글 레벨 셀(SLC) 제품만이 존재했으나 20005년부터 2비트 테이터를 저장하는 2비트 MLC가 상용화되기 시작해 낸드플래시분야에서는 주류로 자리잡고 있다아
국내 주요 메모리업체가 내부적으로 검토하고 있는 에 따르면 ×3·×4 셀 제품은 40나노 공정에서 내년부터 본격적으로 시장을 형성해, 30나노급이 주류를 이룰 2009년 이후에는 시장 저변이 한층 넓어질 것으로 예상된다
실제로 삼성전자는 SLC를 중심으로 회로선폭을 줄여 두배씩 집적도를 높여왔으나, 8Gb에서 16Gb 낸드플래시로 넘어가던 2005년에는 제품 형태를 기존 SLC에서 2비트 MLC로 전환해 집적도 향상을 실현한 바 있다아
전문가들은 40나노 이하부터는 공정을 더 미세화하기보다는 다비트셀이 效果(효과)적일 것으로 보고 있다아 2비트를 넘어 3비트·4비트를 한 개 셀에 저장하면 공정을 한 단계더 미세화하는 것에 비해, 원가부담을 줄이는 效果(효과)가 크다는 판단 때문이다. 하이닉스반도체도 이스라엘 엠시스템즈(샌디스크에 합병)와 제휴, ×3·×4 MLC 낸드플래시 개발을 서두르고 있다아
이에 따라 플래시메모리업계는 일단 내부적으로 다비트 셀 개발을 서두르면서도, 상용화 여부와 시기를 놓고는 저울질에 들어갔다. 그럼에도 불구하고 ×3·×4 MLC를 개발하지 않을 경우, 경쟁사 대비 가격 경쟁력에서 크게 뒤질 수 있다는 우려 때문에 관련업계에는 ‘뜨거운 감자’가 되고 있다아
◇수면 위선 “글쎄”=플래시메모리업계는 내부적으로 다비트 셀 개발에 힘쓰면서도 공개적으로는 개발 사실을 공표하지 않고 있다아 이유는 제품 특성과 신뢰성이 SLC·×2 MLC에 비해 떨어지는 ×3·×4 제품을 시장이 수용할 지 여부가 불투명하기 때문이다.
심규호기자@전자신문, khsim
◇수면아래선 개발 경쟁 치열=삼성전자, 하이닉스, 스팬션 등 세계 주요 반도체업체들이 내부적으로 시제품 개발을 서두르고 있다아
삼성전자 관계자는 “아직 오픈할 단계는 아니지만 다비트 셀에 대한 연구개발은 매우 심도 있게 진행하고 있다”며 “미세공정화의 대체 관념이 아니라 보완 관념에서 다비트 셀 낸드플래시 메모리 기술을 개발하고 있는 것”이라고 설명했다.
설명
노어플래시업체인 스팬션도 한 셀 당 4비트를 저장할 수 있는 기술을 적용한 노어플래시 시제품을 개발하고, 대용량 제품 개발에 박차를 가하고 있다아
◇공정미세화의 대안으로 급 부상=다비트 셀(MLC)은 한 개의 셀에 2비트 이상의 데이타를 저장하는 방식이다.
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특히 ×3·×4 제품이 보급되기 위해서는, SLC나 ×2 MLC를 사용해 세트 또는 플래시메모리카드를 제조하는 업체들이 설계를 일부 변경해야 하기 때문에 메모리업체들로서는 시장 형성에 투입해야 하는 비용 또한 만만치 않지 않다.
다.
한 개의 셀에 3비트(×3)·4비트(×4) 이상의 데이타를 저장하는 멀티레벨셀(MLC) 기술이 플래시메모리업계의 뜨거운 감자로 부상하고 있다아
업계 한 관계자는 “다비트화 기술은 메모리 대용량화의 주요 이슈로 떠오르고 있다”며 “황의 법칙(매년 메모리용량 2배 증가)을 이어가고 있는 삼성전자도 64기가바이트 이상 대용량 메모리 개발에는 ×3·×4 셀 기술을 활용할 가능성이 있다”고 주장했다.
